CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计  

CMOS monolithic Ka-band SPDT switch design with high isolation

作　　者：刘超[1,2] 李强[1] 熊永忠[2] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054 [2]中国工程物理研究院太赫兹中心,四川成都611731

出　　处：《电子技术应用》2016年第4期43-45,52,共4页Application of Electronic Technique

摘　　要：提出了应用0.13μm CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw,SPDT）开关。测试结果显示,在Ka波段此单片开关插损为2.7~3.7 d B,在35 GHz时测得的输入1dB压缩点（P_（-1dB））为8d Bm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络,测得的开关在30~45 GHz有33~51 d B的隔离度。此Ka波段单刀双掷开关芯片的核心面积（die）仅仅为160×180μm2。This paper presents a Ka-band high isolation SPDT（Single Pole Double Throw） switch using 0. 13 μm CMOS process. The switch has a measured insertion loss of 2. 7- 3. 7 d B and an input 1 dB compression power（ P_（1dB）） of 8 d Bm at 35 GHz. Via using the shunt NMOS topology and high quality factor match networks, 33 ~ 51 dB measured isolation is obtained within the frequency range of 30 ~ 45 GHz. The switch core occupies only 160 × 180 μm2chip area.

关 键 词：KA波段 单刀双掷开关 高隔离度 CMOS T/R开关 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]