MEMS  

出　　处：《半导体信息》2003年第5期54-55,共2页Semiconductor Information

摘　　要：00585 Ultra Broadband MEMS Switch on Silicon and GaAs Substrates/R. Chan, R. Lesnick, D. Caruth et al (University of Illinois, USA)//GaAs MANTECH Conference. 2003.—25 报导了高可靠dc～110 GHz低压毫米波GaAs与Si衬底MEMS开关的性能。当频率高至110GHz,该开关插损小于6dB,隔离度大于15dB,开关寿命大于6.9×10~9循环。文章还介绍了实现超宽带性能及高可靠性所采用的设计方法和制造方法。

关 键 词：超宽带 开关式 隔离度 插损 Illinois MEMS 射频微机械开关 设计方法 实体建模 新型电源 

分 类 号：TN42[电子电信—微电子学与固体电子学]