C掺杂ZnO稀磁半导体的磁特性研究  

Study on the magnetic properties of C-doped ZnO

作　　者：翁臻臻[1] 

机构地区：[1]福州大学物理与信息工程学院,福建福州350116

出　　处：《福州大学学报（自然科学版）》2015年第6期778-782,共5页Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition)

基　　金：福建省教育厅科研资助项目(JA13038);福州大学科研启动基金资助项目(XRC-1282)

摘　　要：利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究C掺杂ZnO稀磁半导体的磁性质.发现ZnO∶C体系的磁性来源于C-p和Zn-d轨道之间的杂化,铁磁性产生的机制是以巡游电子为媒介的铁磁交换作用.富O环境下制备ZnO∶C样品能够更好地在室温下得到稳定的铁磁有序.The magnetism of C- doped ZnO has been investigated by the first- principles calculations based on density functional theory（ DFT）. It is found the magnetism of C- doped ZnO is derived from the hybridization between the C- p and Zn- d orbit,and the electron mediated mechanism is proposed for the ferromagnetism in the C- doped ZnO. The sample should be fabricated under O- rich condition to have a ferromagnetic ordering.

关 键 词：氧化锌 稀磁半导体 第一性原理 磁特性 

分 类 号：O474[理学—半导体物理]