混合集成电路耐高过载封装结构技术研究  

作　　者：夏俊生 李寿胜 侯育增 肖雷 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2015年第4期19-22,共4页

摘　　要：混合集成电路的一种典型封装结构是双列直插浅腔金属封装，这种封装结构存在一些薄弱环节，直接影响了混合集成电路产品耐高过载水平的提升。采用卡槽式外壳封装结构的可以将衬底基板置于卡槽内，使电路基板在Y1、X／Z方向均可得到结构性支撑，进而提高衬底组装的耐高过载水平。对于大尺寸电路基板，可以采取布局分割的方法，将大尺寸基板分割成多个小尺寸基板，以提高电路整体耐高过载水平。耐高过载试验结果表明，中等尺寸产品耐高过载水平可达到20000g，小尺寸产品（面积〈20×20mm^2）耐高过载水平可达到30000g。

关 键 词：耐高过载 封装结构 混合集成电路 

分 类 号：TN45[电子电信—微电子学与固体电子学]