电压门控钠离子通道与癫痫  

作　　者：周艺[1] 罗朝辉[1] 肖波[1] 

机构地区：[1]中南大学湘雅医院神经内科,湖南长沙410000

出　　处：《中风与神经疾病杂志》2015年第12期1142-1143,共2页Journal of Apoplexy and Nervous Diseases

基　　金：中南大学研究生自主探索创新项目(2014zzts350)

摘　　要：癫痫是一种以脑部神经元异常放电为特征的慢性神经系统疾病，按照病因学分类可以分为遗传性癫痫和结构代谢性癫痫，遗传性癫痫是指一类自限性的癫痫综合征，大部分与遗传因素有关；结构代谢性癫痫则指由明确的结构性或者代谢性的病因所导致的癫痫。离子通道的结构和功能改变与癫痫的发生发展有着密切的联系，而其中的电压门控钠离子通道（vohage—gated sodium channel，VGSC或Nay）在动作电位的产生以及传播中起到了至关重要的作用，这主要是由于其对膜电位变化的敏感性和产生动作电位的快速性所决定的。目前的研究发现，许多癫痫综合征都与Nav的基因有关，本文就Nay的基因与癫痫的关系做一简要综述。

关 键 词：遗传性癫痫 钠离子通道 电压门控 慢性神经系统疾病 神经元异常放电 channel 病因学分类 癫痫综合征 

分 类 号：R742.1[医药卫生—神经病学与精神病学]