化学机械抛光中铜膜厚度电涡流在线测量技术研究  

作　　者：曲子濂[1] 孟永钢[1] 

机构地区：[1]清华大学

出　　处：《机械工程学报》2016年第6期36-36,共1页Journal of Mechanical Engineering

摘　　要：半导体集成电路经过几十年的发展,特征尺寸不断减小,器件的集成度越来越高,促进了制造工艺不断发展。铜化学机械抛光（Cu-CMP）工艺在当前的集成电路金属互连线制造过程中占有重要位置。为了防止抛光过程中对新型软介电材料的损伤,目前的趋势是采用两步抛光工艺。同时,晶圆直径的增大也带来抛光均匀性的问题。

关 键 词：化学机械抛光 在线测量技术 半导体集成电路 电涡流 膜厚度 铜 制造工艺 金属互连线 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]