其它材料  

出　　处：《电子科技文摘》2001年第2期5-6,共2页Sci.& Tech.Abstract

摘　　要：Y2000-62474-133 0101839备择栅介质应用的具有低漏泄与极好可靠性的超薄二氧化铪=Ultrathin hafnium oxide with low leakage andexcellent reliability for alternative gate dielectric applica-tion[会,英]/Lee,B.H.& Kang.L.//1999 IEEE In-ternational Electron Devices Meeting.—133～136（PC）Y2000-62474-137 0101840深亚微米 CMOS 技术用的优质超薄（1.5nm）TiO₂/Si₃N₄栅介质=High quality ultra-thin（1.5nm）TiO₂/Si₃N₄ gate dielectric for deep sub-micron CMOS technolo-gy[会,英]/Guo,X.& Wang,X.W.//1999 IEEE In-ternational Electron Devices Meeting.—137～140（PC）

关 键 词：栅介质 深亚微米 二氧化铪 可靠性 镁基复合材料 炭塑复合材料 残余应力 线膨胀系数 超薄 漏泄 

分 类 号：TN[电子电信]