新型半导体材料特性测量技术  

出　　处：《科学中国人》2016年第5期17-17,共1页Scientific Chinese

摘　　要：中国科学院光电技术研究所以传统半导体硅材料为研究对象，建立非线性光载流子辐射模型。并在此基础上分别提出了多光斑光载流子辐射技术和稳态光载流子辐射成像技术，通过仿真计算和实验测量证实了上述技术的有效性，半导体材料是微电子器件和光伏器件的基础材料，其杂质和缺陷特性严重影响器件性能。随着微电子器件集成度和光伏器件转换效率的提高，对半导体原材料的要求越来越高。为了满足工业化生产的需求，相应地要求材料检测方法具有更高的灵敏度和更快的测量速度，同时避免对材料产生损伤。

关 键 词：半导体硅材料 材料特性 测量技术 微电子器件 辐射成像技术 基础材料 光伏器件 中国科学院 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]