热处理对富碳氢化非晶碳化硅薄膜阻氢性能的影响  

On the Behavior of Hydrogen in C-rich a-SiC:H Films with Thermal Treatment

作　　者：姜辉[1] 任丁[2] 

机构地区：[1]盐城师范学院新能源与电子工程学院,江苏盐城224002 [2]辐射物理与技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所,四川成都610064

出　　处：《盐城工学院学报（自然科学版）》2016年第2期40-44,共5页Journal of Yancheng Institute of Technology:Natural Science Edition

摘　　要：针对热处理对a-Si C:H薄膜的氢扩散和热稳定性的影响,利用二次离子质谱(SIMS)和傅立叶红外谱(FTIR)来分析氢的深度分布和薄膜中Si Hn和CHn的变化。结果表明,在473 K到773 K范围内,经过热处理的a-Si C:H薄膜能够有效地延缓氢扩散,从而提高阻氢性能,但是在热稳定方面有所退化。Aim at the effect of annealing on the diffusion and thermal stability of hydrogen in a-SiC ： H films, SIMS and FFIR were used to obtain the hydrogen depth profile and compositional change of Silln and CHo. The results showed that the annealed sampies can retard hydrogen diffusion and improve their hydrogen resistance at 300 K - 773 K with the thermal stability of hydrogen degraded.

关 键 词：热稳定 氢扩散 a-SiC H薄膜 氢 

分 类 号：TL93[核科学技术—辐射防护及环境保护] TL69