姜辉

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热处理对富碳氢化非晶碳化硅薄膜阻氢性能的影响
《盐城工学院学报(自然科学版)》2016年第2期40-44,共5页姜辉 任丁 
针对热处理对a-Si C:H薄膜的氢扩散和热稳定性的影响,利用二次离子质谱(SIMS)和傅立叶红外谱(FTIR)来分析氢的深度分布和薄膜中Si Hn和CHn的变化。结果表明,在473 K到773 K范围内,经过热处理的a-Si C:H薄膜能够有效地延缓氢扩散,从而提...
关键词:热稳定 氢扩散 a-SiC H薄膜  
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