Al和Mn掺杂ZnO薄膜的结构和电学性质  

Microstructure and electric properties of Al,Mn-doped ZnO thin films

作　　者：黄卫华[1] 贾历程[2] 

机构地区：[1]广西机电职业技术学院,广西南宁530007 [2]广西大学实验设备处,广西南宁530004

出　　处：《实验技术与管理》2016年第6期42-45,共4页Experimental Technology and Management

基　　金：广西壮族自治区教育厅立项项目"太阳能电池透明导电电极材料的研究"(LX2014560)

摘　　要：采用磁控溅射方法在硅衬底上制备了纯ZnO薄膜和Al、Mn掺杂的ZnO薄膜。用X衍射和原子力显微镜分析了薄膜的晶化行为和显微结构,利用Keithley 2400高阻计分析了薄膜的电学性质。结果表明,掺入Al的ZnO薄膜有良好的晶化,有很好的表面结构,显示强烈的(002)择优取向,呈现低的电阻率,可用作太阳能电池的电极材料。The pure and Al,Mn-doped ZnO thin films were prepared on p-Si（100）substrates by r.f.magnetron sputtering at room temperature.The effect of Al and Mn doping on structural and electrical properties of ZnO films are discussed on this work.

关 键 词：ZNO薄膜 薄膜结构 电学特性 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]