砷化镓光导开关中的有效电流丝段  

Effective Current Filament Region( ECFR) in GaAs Photoconductive Semiconductor Switches( PCSS)

作　　者：刘鸿[1] 郑理[2] 杨维[1] 朱晓玲[1] 戴松晖[1] 杨洪军[1] 

机构地区：[1]成都大学信息科学与工程学院,四川成都610106 [2]成都工业学院机械工程学院,四川成都611730

出　　处：《成都大学学报（自然科学版）》2016年第2期134-136,共3页Journal of Chengdu University（Natural Science Edition）

基　　金：四川省教育厅自然科学基金(15ZB0386);成都大学1315人才工程(2081915041)资助项目

摘　　要：分析了高增益砷化镓光导开关中电流丝(即流注)顶端1ps的光生载流子密度分布.提出了"有效电流丝段"的概念,导出了有效电流丝段的光致电离效应公式,揭示了电流丝顶部前面最大光生载流子密度只随着电流丝半径变化的规律.The density distribution of photo-generated carrier per unit time（ 1 ps） from the current filaments（ namely streamer） in high gain GaAs photoconductive semiconductor switches（ PCSS） is analyzed. The effective current filament region（ ECFR） is proposed. The photoionization effects formula of the ECFR is derived. It is revealed that the increase of the maximum density of the photo-generated carrier ahead of the tip of the filament is just dependent on the increase of the radius of the filament.

关 键 词：砷化镓光导开关 有效电流丝段 光致电离效应 电流丝半径 

分 类 号：TN365[电子电信—物理电子学] O471[理学—半导体物理]