砷化镓光导开关

作品数：23被引量：36H指数：4
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相关期刊：《科学通报》《光学学报》《半导体技术》《电工技术学报》更多>>
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低光能触发的砷化镓光导开关导通机理被引量：1
《电工技术学报》2023年第22期6241-6252,共12页徐守利 刘京亮 胡龙 倪涛 许春良 
国家自然科学基金(52177156);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题(SKLIPR2004)资助项目。
该文建立了砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的一维器件仿真模型,研究了低光能触发条件下电流通道内关键物理参数的瞬态变化过程,提出了GaAs PCSS的多雪崩电离畴物理模型,能够自洽地解释低光能触发、超快速导通和电压锁定等开关特征。GaAsPCS...
关键词：脉冲功率 光导开关 雪崩电离畴 低光能触发 亚纳秒 
触发区域宽度对砷化镓光导开关输出特性影响
《强激光与粒子束》2023年第10期150-155,共6页陈红 韦金红 曾凡正 贾成林 付泽斌 李嵩 钱宝良 
脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目(SKL 2021KF05)。
基于TCAD数值仿真软件,建立了异面结构砷化镓光导开关(GaAs PCSS)的二维数值计算模型,研究了触发区域宽度对GaAs PCSS输出特性影响。首先分析了PCSS的瞬态导通特性,结果表明,急剧增加的载流子浓度与快速演化的空间电离畴使PCSS工作在超...
关键词：砷化镓 光电导半导体开关 异面电极 雪崩电离畴 超快速导通 
同面电极砷化镓光导开关的导通特性被引量：1
《半导体技术》2023年第1期10-17,共8页刘英洲 韦金红 王郎宁 李嵩 冯进军 
砷化镓光导开关(GaAs PCSS)作为固态脉冲功率器件,具有可承载高电压、超快速导通、在高重复频率下稳定工作等特点。基于多雪崩电离畴理论,建立了同面电极GaAs PCSS的二维数值计算模型,分析了GaAs PCSS的瞬态导通特性和延迟击穿特性。仿...
关键词：砷化镓(GaAs) 光导开关(PCSS) 同面电极 雪崩电离畴 超快速导通 
砷化镓光导开关的损伤形貌研究
《强激光与粒子束》2022年第9期140-145,共6页沙慧茹 肖龙飞 栾崇彪 冯琢云 李阳凡 孙逊 胡小波 徐现刚 
山东省重点研发计划项目(2019JMRH0901);山东省重点研发计划项目(2019JMRH0201)。
制作了同面型砷化镓光导开关,并测试了其导通性能。在偏置电压8 kV、激光能量10 mJ、重复频率10 Hz的条件下,研究了光导开关触发104次后器件表面的损伤形貌。利用激光扫描共聚焦显微镜,对电极边缘及电极间的损伤形貌进行分析,研究发现...
关键词：光导开关 砷化镓 损伤 形貌 热效应 
GaAs-PCSS多通道同步导通条件实验研究被引量：1
《强激光与粒子束》2020年第2期25-30,共6页刘毅 谌怡 夏连胜 王卫 叶茂 张篁 
国家自然科学基金项目（51507162,51407169,51607166）;国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金项目（U1530156）
砷化镓光导开关(GaAs-PCSS)是具有快响应、高重频、低抖动、高功率容量的半导体光电导开关,多通道设计能够有效降低GaAs-PCSS非线性大电流导通时的损伤,提高开关寿命。为探究GaAs-PCSS多通道同步导通的必要条件,在基于固态脉冲形成线的...
关键词：砷化镓光导开关 多通道 同步 触发延迟时差 触发能量 
砷化镓光导开关中的有效电流丝段
《成都大学学报（自然科学版）》2016年第2期134-136,共3页刘鸿 郑理 杨维 朱晓玲 戴松晖 杨洪军 
四川省教育厅自然科学基金(15ZB0386);成都大学1315人才工程(2081915041)资助项目
分析了高增益砷化镓光导开关中电流丝(即流注)顶端1ps的光生载流子密度分布.提出了"有效电流丝段"的概念,导出了有效电流丝段的光致电离效应公式,揭示了电流丝顶部前面最大光生载流子密度只随着电流丝半径变化的规律.
关键词：砷化镓光导开关 有效电流丝段 光致电离效应 电流丝半径 
砷化镓光导开关中电流丝875nm辐射的光致电离效应
《成都工业学院学报》2016年第2期61-62,74,共3页郑理 刘鸿 
研究高增益砷化镓光导开关中875 nm自发辐射产生的载流子密度分布特征。导出电流丝一端875 nm辐射的光致电离效应规律,计算电流丝一端875 nm自发辐射产生的载流子密度。计算结果表明：紧邻电流丝顶部处的光生载流子密度最大。比较发现87...
关键词：光电子学 砷化镓光导开关 电流丝 光生载流子密度 
砷化镓光导开关中的电子雪崩域
《成都大学学报（自然科学版）》2015年第2期141-143,共3页刘鸿 郑理 朱晓玲 杨维 戴松晖 杨煜婷 邬丹 
分析了高增益砷化镓光导开关中载流子的碰撞电离现象,阐明了光致电离效应和转移电子效应高场畴的意义,揭示了电子雪崩域形成的充分必要条件和载流子的局域雪崩生长特性,理论分析与实验观察一致.
关键词：砷化镓光导开关 碰撞电离 局域特性 电子雪崩域 
砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应被引量：4
《中国科学：物理学、力学、天文学》2014年第1期49-54,共6页刘鸿 郑理 阮成礼 杨洪军 杨维 郑勇林 
四川省科技计划项目资助(编号:2010JY0160)
应用统计物理方法研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应.导出了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射规律,在砷化镓样品中引入复合辐射强度与辐射的波长分布函数的概念,近似确定了高增益砷化镓光导开关中电流丝的平均...
关键词：砷化镓光导开关 电流丝 辐射定律 辐射复合系数 载流子密度分布 
砷化镓光导开关中流注890nm辐射的光致电离效应被引量：3
《成都大学学报（自然科学版）》2013年第3期247-249,共3页刘鸿 郑理 杨洪军 戴松晖 王晓茜 
四川省应用基础研究计划(2010JY0160)资助项目
分析了高增益砷化镓光导开关中流注一端波长890 nm自发辐射的光致电离效应,导出了砷化镓光导开关中流注顶部波长890 nm自发辐射在吸收区域产生的载流子密度分布规律.计算结果表明,紧邻流注顶部处的光生载流子密度最大,波长890 nm自发辐...
关键词：光电子学 砷化镓光导开关 流注 光致电离效应 
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