砷化镓光导开关中的电子雪崩域  

Electron Avalanche Domain( EAD) in GaAs Photoconductive Semiconductor Switches( PCSS)

作　　者：刘鸿[1] 郑理[2] 朱晓玲[1] 杨维[1] 戴松晖[1] 杨煜婷 邬丹[1] 

机构地区：[1]成都大学电子信息工程学院,四川成都610106 [2]成都工业学院机械工程学院,四川成都611730

出　　处：《成都大学学报（自然科学版）》2015年第2期141-143,共3页Journal of Chengdu University（Natural Science Edition）

摘　　要：分析了高增益砷化镓光导开关中载流子的碰撞电离现象,阐明了光致电离效应和转移电子效应高场畴的意义,揭示了电子雪崩域形成的充分必要条件和载流子的局域雪崩生长特性,理论分析与实验观察一致.The phenomena of the cartier impact ionization in high gain GaAs photoconductive semiconductor switches are analyzed. The significance of photo-ionization effects and transferred-electron effect （TEE） high-field domain is illuminated. The necessary and sufficient conditions of the electron avalanche domain （EAD） formation are revealed. And the local characteristics of avalanche carrier growth are revealed. The results of this theoretical analysis are consistent with the reported experimental observations.

关 键 词：砷化镓光导开关 碰撞电离 局域特性 电子雪崩域 

分 类 号：TN365[电子电信—物理电子学] O471[理学—半导体物理]