Mo基底的粗糙度对C轴择优取向AlN的影响  

Effect of substrate roughness on C-oriented AlN thin films

作　　者：柯盼 彭赏[1] 郑赫[1] 贾双凤[1] 王建波[1] 

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院电子显微镜中心人工微结构教育部重点实验室和高等研究院,湖北武汉430072

出　　处：《电子显微学报》2016年第4期303-308,共6页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家重点基础研究发展计划973项目(No.2011CB933300);国家自然科学基金资助项目(No.51271134;No.J1210061;No.51501132);中央高校基本科研业务费专项基金;高等学校仪器设备和优质资源共享系统(CERS-1-26);中国博士后科学基金项目资助(No.2014T70734)

摘　　要：通过物理气相沉积的方法制备出Si/非晶/Mo/AlN多层膜器件,利用透射电子显微学方法研究了截面样品和AlN薄膜平面样品,确定了AlN和Mo的界面形态和生长方式。研究表明二者取向关系为[21 10]AlN//[1 11]Mo,(0002)AlN//(110)Mo,且Mo表面的粗糙程度对AlN的生长有影响,因此本文为改进器件性能提供了参考方向。Four-layer Si/amorphous/Mo/AlN device was made by Physical Vapor Deposition. The interface morphology of Mo/AlN and the growth model was identified by using the transmission electron microscopy. The results show that the local epitaxial orientation relationships between AlN and Mo are [ 21 10 ] AlN//[ 1 11 ] Mo and （ 0002 ） AlN//（ 110 ） Mo . The coarse surface of Mo is bad for C-oriented AlN thin films. This research can serve as a guidance for improving the performance of the device.

关 键 词：取向关系 ALN 透射电子显微学 柱状晶 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程] O766.1[理学—晶体学]