大直径超薄SiC单晶片高速-超声切割机理及参数控制  

出　　处：《中国科技成果》2016年第13期48-48,50,共2页China Science and Technology Achievements

基　　金：国家自然科学基金项目（51175420）.

摘　　要：大直径超薄SiC单晶片是半导体装置中耐高压和高温器件的理想材料，但其高的材料硬度使加工过程成为整个装置制造过程的难点，切割作为首道加工工序是整个制造过程的瓶颈。本项目提出高速-超声切割是在线锯和SiC单晶片相对高速运动的同时，为线锯附加一超声振动，使其在高速和高频振荡下对工件摩擦、冲击和挤压，实现SiC单晶片切割过程的高速微量去除。

关 键 词：切割机理 超声振动 单晶片 SIC 大直径 参数控制 超薄 半导体装置 

分 类 号：TU521.2[建筑科学—建筑技术科学]