单晶片

作品数：120被引量：183H指数：7
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基于钙钛矿单晶片表面周期性结构的高性能近红外光探测器
《高等学校化学学报》2024年第12期124-132,共9页张振宇 汪国平 
国家自然科学基金(批准号:62005183);国家重点研发计划项目(批准号:2022YFA1404500)资助.
借助空间限域法制备了毫米级的甲基碘化铅铵(MAPbI_(3))单晶片,并利用聚焦离子束刻蚀(FIB)技术在其表面加工周期性结构,使其共振吸收峰调节至近红外波段,基于此有源层构筑了纵向结构的光探测器.相比于MAPbI_(3)单晶片基器件,该器件对双...
关键词：钙钛矿单晶片 近红外光探测器 聚焦离子束刻蚀 共振吸收 
VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究
《电子工业专用设备》2024年第1期48-50,共3页于妍 吕菲 李纪伟 康洪亮 
研究了半绝缘GaAs的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响,根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因,以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的...
关键词：垂直梯度凝固法(VGF) 半绝缘 砷化镓(GaAs) 碱性腐蚀 
低位错锗单晶片的表面位错腐蚀研究被引量：4
《稀有金属》2022年第8期1118-1124,共7页张路 霍承松 马远飞 马会超 林泉 冯德伸 
河北省科技计划项目(19011111Z)资助。
锗单晶在红外以及空间太阳能电池都有广泛应用。目前,超过90%的空间电源都是锗基太阳能电池,使得低位错锗单晶成为空间太阳能电池的基础材料。太阳能电池使用的锗单晶要求位错密度低于1000 cm^(-2),高效电池甚至要求单晶位错密度低于300...
关键词：锗单晶 位错密度 抛光 腐蚀 偏离角度 
划痕速率和晶向对6H-SiC单晶片划痕特征的影响
《硅酸盐学报》2021年第12期2644-2651,共8页张银霞 黄鹏举 郜伟 
国家自然科学基金重点项目(U1804254);河南省自然科学基金(162300410244);中国博士后科学基金(2015M580635)。
采用微纳米力学测试系统对6H-Si C单晶片开展了不同速率和不同晶向的划痕试验,对划痕的摩擦系数、划痕切削深度以及表面三维形貌进行分析,进而研究划痕速率和晶向对6H-SiC单晶片划痕特征的影响。结果表明:当静载荷4 N和6 N、划痕速率从0...
关键词：碳化硅晶片 划痕速率 晶向 表面形貌 
基于不同纳米划痕顺序的6H-SiC单晶片材料去除机理研究被引量：4
《金刚石与磨料磨具工程》2021年第4期92-97,共6页郜伟 张银霞 黄鹏举 
国家自然科学基金(U1804254);河南省自然科学基金(162300410244);中国博士后科学基金(2015M580635)。
通过微纳米力学测试系统对6H-SiC单晶片(0001)晶面进行不同间距和不同顺序的纳米刻划试验,并用摩擦力传感器、超景深显微系统和三维形貌仪对产生的划痕的划痕横截面轮廓曲线、划痕深度、摩擦力以及表面形貌进行分析,研究单晶片刻划过程...
关键词：SiC单晶片 纳米划痕 划痕顺序 划痕间距 材料去除 
双模式压电粘滑驱动器设计与试验被引量：1
《压电与声光》2020年第3期321-325,共5页段铁群 马颜龙 孟庆亮 田原实 
该文提出了一种双模式压电粘滑驱动器,通过一个中间固支的压电单晶片和柔性放大机构实现非谐振模式和谐振模式的结合,使驱动器达到高运动精度和快速响应的目的。通过有限元法获得了合适的柔性放大机构参数,并分析验证了驱动器双模式工...
关键词：压电单晶片 粘滑驱动器 有限元 双模式 负载 
压电单晶片搭接特性
《机械工程师》2020年第5期24-25,28,共3页汤玉竹 楚宇恒 郝赛 徐磊 黄康 
压电晶片广泛应用于压电驱动、压电风扇、压电泵等领域,其往往工作于谐振频率下。对于采用搭接方式安装的压电晶片,接触点位置和接触力的变化会导致压电晶片的工作频率和尖端位移发生变化。针对搭接状态下的压电单晶片,文中设计了一套...
关键词：压电晶片 谐振特性 接触点位置 接触力 
化学腐蚀工艺对锗单晶片机械强度的影响
《材料导报》2019年第S02期428-430,共3页吕菲 田原 宋晶 杨春颖 刘雪松 
锗单晶的机械强度受单晶生长方式和加工工艺等多因素的影响。在衬底片的加工过程中,晶片的强度随加工工艺变化。切割和磨削后的锗单晶片强度都很低,经过化学腐蚀后强度大幅提高,因此化学腐蚀成为影响锗单晶片机械强度的关键工艺。本工...
关键词：锗单晶片 化学腐蚀 机械强度 粗糙度 
小米是否使用联发科芯片
《办公自动化》2019年第24期15-15,共1页
高通芯片全部报废?小米正式启用"中国芯"!性能正面对抗华为不久前,一名用户在社交平台发文称,三星7nm EUV工艺出现问题,导致高通5G单晶片7250受损,未来可能不能量产。而台积电的N7良率在80%,N7良率在达到90%,随后这则新闻便被传开,演变...
关键词：芯片制造 社交平台 中国芯 单晶片 小米 良率 高通 三星 
硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究
《电子工业专用设备》2019年第5期10-12,20,共4页刘娜 常耀辉 吕菲 刘洋 
介绍了硅单晶化学腐蚀片及其应用,指出了应用于TVS分立器件的硅衬底化学腐蚀片的表面质量要求,即要求硅腐蚀片坑深控制在3μm以下。研究了腐蚀前硅片的表面质量与化学腐蚀工艺对硅单晶化学腐蚀片表面质量的影响,并给出了满足衬底要求的...
关键词：硅单晶化学腐蚀片 研磨粒径 各项异性刻蚀 腐蚀坑深 
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