射频氮化镓市场将规模猛增  

作　　者：王丽英 

出　　处：《今日电子》2016年第8期25-25,共1页Electronic Products

摘　　要：氮化镓（GaN）是被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。

关 键 词：氮化镓 第三代半导体材料 化合物半导体材料 市场 射频 GAAS 第一代 第二代 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]