使用MOSFET管不同参数影响研究  被引量:3

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作  者:吴涛 

机构地区:[1]畅博电子(上海)有限公司,上海市201206

出  处:《电子技术与软件工程》2016年第17期128-128,共1页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘  要:总结MOSFET管分类及特点及MOSFET管的温度对开启电压,导通电阻,漏源极电压,漏电流,雪崩能量等参数的影响。

关 键 词:MOSFET 导通电阻 漏源极电压 

分 类 号:TN386[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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相关期刊文献:

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