Sb_2Te_3拓扑绝缘体薄膜的MBE制备研究  

Preparation of Sb_2Te_3 topological insulator film by MBE

作　　者：张涛[1] 仇怀利[1] 王军[1] 杜洪洋[1] 徐伟[1] 李中军[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230009

出　　处：《合肥工业大学学报（自然科学版）》2016年第9期1216-1219,共4页Journal of Hefei University of Technology：Natural Science

基　　金：国家自然科学基金资助项目(21503061);中央高校基本科研业务费资助项目(JZ2015-HGXJ0184)

摘　　要：文章以高纯Sb和Te为锑源和碲源,使用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)设备,在超高真空条件下外延生长拓扑绝缘体薄膜。通过XRD(X-ray diffraction)、SEM(scanning electron microscope)等检测手段对薄膜样品进行物像和表面分析,研究了不同衬底温度、束流大小和束流比、生长时间等因素对薄膜质量的影响。Using high pure antimony and tellurium ,topological insulator Sb2 Te3 thin films grew under ultrahigh vacuum condition by using molecular beam epitaxy （MBE） facilities .The images and surface of the thin film sample were analyzed by the methods of X‐ray diffraction（XRD） ,field emission scan‐ning electron microscope（SEM ） and so on .The effect of different substrate temperatures ,beam flux and beam flux ratios ,grow th time on the quality of the films is explored .

关 键 词：Sb2Te3薄膜 超高真空 分子束外延 拓扑绝缘体 制备 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]