先进节点接触层照明类型优化解决光刻制造要求  

Optimization of Contact Layer Illumination Type to Improve Lithography Manufacture

作　　者：刘娟[1,2] 

机构地区：[1]上海交通大学,上海200240 [2]中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203

出　　处：《电子与封装》2016年第10期36-38,47,共4页Electronics & Packaging

摘　　要：先进节点逻辑集成电路制造是当前工业界的领先工艺。为实现接触(Contact)层的光刻工艺,需要从两个关键方面进行处理:解析度和全间距的共有工艺窗口。离轴照明+相移掩模+亚解析度辅助图形多种解析度增强技术的组合使用是解决光刻成像的方法。从优化接触层离轴照明的类型方面解决光刻制造工艺的问题。To achieve contact layer printing in advanced technology node, two key factors need to be considered： resolution and through pitch process window. The combination of Resolution enhancement technologies, namely Off-Axis-Illumination, Phase-Shift-Mask, Sub-Resolution-Assist-Feature, is an effective solution. The paper focuses on illumination optimization to improve contact layer lithography process.

关 键 词：离轴照明 照明类型 工艺窗口 掩模误差增强因子 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]