SiC功率开关管短路特性分析及保护综述  

Review of Silicon Carbide Power Transistors:Short-Circuit Evaluation and Protection

作　　者：徐克峰[1] 秦海鸿[1] 刘清[1] 王丹[1] 张英[1] 戴卫力[2] 

机构地区：[1]南京航空航天大学多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室自动化学院,南京211106 [2]河海大学江苏省输配电装备技术重点实验室物联网工程学院,江苏常州213022

出　　处：《上海电机学院学报》2016年第5期259-270,共12页Journal of Shanghai Dianji University

基　　金：国家自然科学基金项目资助(51277095);教育部博士点基金项目资助(20123218120017);中央高校基本科研业务费专项资金项目资助(NS2015039;NS20160047);江苏高校优势学科建设工程项目资助

摘　　要：为保证碳化硅(SiC)功率器件安全可靠工作,其中一个关键性问题就是功率器件的短路能力。介绍两种短路故障,分析了短路电流变化机理,对3种典型商用SiC功率开关管(SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT)的短路特性进行了对比分析,并对它们的短路检测及保护方法进行了对比分析和归纳,最后进一步探讨和总结了SiC开关管短路能力及短路保护中存在的问题。For silicon carbide(SiC)power devices,short-circuit protection capability is a key issue concerning reliability and safety of the devices.Two types of short-circuit faults are introduced,and their mechanism is analyzed in detail.Characteristics of three typical SiC power devices including SiC MOSFET,SiC JFET and SiC BJT are analyzed and compared under short-circuit conditions.Short-circuit detection and protection for these three devices are compared and summarized.Finally,short-circuit capability of SiC power devices and protection problems are discussed.

关 键 词：碳化硅 功率器件 短路特性 短路保护 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]