张英

作品数：9被引量：29H指数：4
导出分析报告
供职机构：南京航空航天大学更多>>
发文主题：驱动电路高速开关桥臂驱动电阻关断更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
发文期刊：《上海电机学院学报》《半导体技术》《南京航空航天大学学报（自然科学版）》《电工电能新技术》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家教育部博士点基金江苏高校优势学科建设工程项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
碳化硅基直流固态断路器短路保护方法被引量：5
《南京航空航天大学学报》2020年第2期207-214,共8页秦海鸿 莫玉斌 张英 杨跃茹 赵朝会 
国家自然科学基金(51677089)资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金(NS2015039,NS20160047)资助项目;南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金(kfjj20170308)资助项目。
碳化硅器件比硅器件具有更低的导通电阻,用其制作直流固态断路器可以大大降低其通态损耗,减轻散热压力。然而相比于硅器件,由于碳化硅器件管芯面积小,电流密度大,其短路能力相对较弱,短路保护要求更高。为确保碳化硅器件安全可靠工作,...
关键词：碳化硅 直流固态断路器 短路能力 短路保护 
高压eGaN HEMT开关行为及其影响因素研究被引量：4
《电工电能新技术》2020年第4期17-26,共10页彭子和 秦海鸿 张英 修强 储师舜 
国家自然科学基金项目(51677089);中央高校基本科研业务费专项资金项目(NJ20160047);南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金项目(kfjj20170308);江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_0287)。
为了探究高压eGaN HEMT的开关行为及其影响因素,首先详细分析了eGaN HEMT的开关过程,推导出开关各个阶段的持续时间及影响因素,并将其归纳为器件参数、驱动电路参数和工况,通过实验对eGaN HEMT开关过程和驱动电路参数以及工况对eGaN HEM...
关键词：eGaN HEMT 驱动电路 开关行为 工况 驱动电路参数 寄生电感 
650V eGaN HEMT短路特性研究被引量：1
《电工电能新技术》2020年第2期10-20,共11页张英 秦海鸿 彭子和 修强 荀倩 
国家自然科学基金项目(51677089);中央高校基本科研业务费专项资金项目(NJ20160047);江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_0287)
增强型GaN HEMT(eGaN HEMT)可以大幅提升变换器的效率和功率密度,具有广泛的应用前景。但实际应用中由桥臂串扰引起的误导通,以及负载侧短路等都会导致eGaN HEMT流过较大的电流。因此,为了确保eGaN HEMT在过载、短路等工况下安全可靠工...
关键词：增强型GaN HEMT 短路特性 短路保护 温度依赖性 
寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响被引量：1
《半导体技术》2019年第4期257-264,共8页彭子和 秦海鸿 修强 张英 荀倩 
国家自然科学基金资助项目(51677089);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NJ20160047);江苏高校优势学科建设工程资助项目;江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_0287);南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金资助项目(kfjj20170308)
寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN...
关键词：增强型氮化镓(GaN)HEMT 开关行为 寄生电感 双脉冲测试 优化布局 
寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响被引量：8
《中国科技论文》2017年第23期2708-2714,共7页秦海鸿 张英 朱梓悦 王丹 付大丰 赵朝会 
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20123218120017);国家自然科学基金资助项目(51677089);江苏省研究生培养创新工程资助项目(SJLX16_0107);南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金资助项目(kfjj20170308);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NJ20160047;NS2015039)
为了探究电路中寄生电容对SiC MOSFET高速开关特性的影响,采用理论分析与实验研究相结合的方法,考虑相关寄生电容,对SiC MOSFET的开关过程进行模态分析,确立各部分寄生电容的影响,进而建立高速双脉冲测试平台,对各部分寄生电容对SiC MOS...
关键词：电力电子 碳化硅 寄生电容 MOSFET 
SiC功率开关管短路特性分析及保护综述被引量：1
《上海电机学院学报》2016年第5期259-270,共12页徐克峰 秦海鸿 刘清 王丹 张英 戴卫力 
国家自然科学基金项目资助(51277095);教育部博士点基金项目资助(20123218120017);中央高校基本科研业务费专项资金项目资助(NS2015039;NS20160047);江苏高校优势学科建设工程项目资助
为保证碳化硅(SiC)功率器件安全可靠工作,其中一个关键性问题就是功率器件的短路能力。介绍两种短路故障,分析了短路电流变化机理,对3种典型商用SiC功率开关管(SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT)的短路特性进行了对比分析,并对它们的短路...
关键词：碳化硅 功率器件 短路特性 短路保护 
GaN功率器件及其应用现状与发展被引量：8
《上海电机学院学报》2016年第4期187-196,215,共11页秦海鸿 董耀文 张英 徐华娟 付大丰 严仰光 
教育部博士点基金资助项目资助(20123218120017);中央高校基本科研业务费专项资金项目资助(NS2015039;NJ20160047);江苏高校优势学科建设工程项目资助
电力电子器件是电力电子技术的重要基础。现有硅基电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件的研究热点。介绍了氮...
关键词：宽禁带半导体器件 氮化镓 电力电子技术 现状 发展 
SiC BJT的单电源基极驱动电路研究被引量：1
《电子器件》2016年第1期26-31,共6页张英 王耀洲 陈乃铭 徐华娟 秦海鸿 
国家创新训练项目(20141028701703);中央高校基本科研业务费专项资金项目(NZ2013307);南京航空航天大学青年科技创新基金(理工类)项目(NS2015039)
探究Si C BJT基极驱动电路拓扑,对Si C BJT基极驱动电路损耗的构成进行了分析和对比,提出单基极电阻和阻容网络两种单电源基极驱动方案,对开关速度进行了对比。针对单电源阻容网络驱动方案,对其关键电路参数进行了分析,并针对一款Si C ...
关键词：电力电子技术 碳化硅双极型晶体管 定量实验 单电源驱动 阻容网络 低损耗 
氯化钾型光亮镀锌体系中铈对镀层耐蚀性影响的研究被引量：1
《材料保护》1993年第11期6-10,共5页李士嘉 何建平 陈网桦 张英 
国家自然科学基金
研究了氯化钾型光亮镀锌体系中,铈对镀层耐蚀性的影响。发现当电解液中铈盐含量约0.2 g/L时,镀层耐蚀性最好。用分光光度法测定镀层中铈含量,表明铈已进入了镀层。用X-射线衍射对镀层进行结构分析,发现进入镀层的微量铈能使锌结晶晶面...
关键词：铈 光亮镀 镀锌 耐腐蚀 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部