徐克峰

作品数：2被引量：14H指数：1
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供职机构：南京航空航天大学更多>>
发文主题：SICJFET驱动电路MOSFET碳化硅更多>>
发文领域：电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《南京航空航天大学学报（自然科学版）》《上海电机学院学报》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目江苏高校优势学科建设工程项目更多>>
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寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响被引量：13
《南京航空航天大学学报》2017年第4期531-539,共9页秦海鸿 朱梓悦 戴卫力 徐克峰 付大丰 王丹 
国家自然科学基金(51677089)资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金(NS2015039;NS20160047)资助项目;江苏省普通高校研究生科研创新计划(SJLX16_0107)资助项目
随着开关频率的增大,寄生电感对碳化硅(SiC)器件动态开关过程的影响程度也越来越大,无法充分发挥其高速开关下低开关损耗的性能优势。本文采用理论定性分析与实验定量研究相结合的方法,考虑相关寄生电感,对SiC MOSFET基本开关电路建立...
关键词：电力电子 碳化硅 寄生电感 匹配关系 布局设计 
SiC功率开关管短路特性分析及保护综述被引量：1
《上海电机学院学报》2016年第5期259-270,共12页徐克峰 秦海鸿 刘清 王丹 张英 戴卫力 
国家自然科学基金项目资助(51277095);教育部博士点基金项目资助(20123218120017);中央高校基本科研业务费专项资金项目资助(NS2015039;NS20160047);江苏高校优势学科建设工程项目资助
为保证碳化硅(SiC)功率器件安全可靠工作,其中一个关键性问题就是功率器件的短路能力。介绍两种短路故障,分析了短路电流变化机理,对3种典型商用SiC功率开关管(SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT)的短路特性进行了对比分析,并对它们的短路...
关键词：碳化硅 功率器件 短路特性 短路保护 
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