王耀洲

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：南京航空航天大学更多>>
发文主题：低损耗BJT单电源电路研究电力电子技术更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
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SiC BJT的单电源基极驱动电路研究被引量：1
《电子器件》2016年第1期26-31,共6页张英 王耀洲 陈乃铭 徐华娟 秦海鸿 
国家创新训练项目(20141028701703);中央高校基本科研业务费专项资金项目(NZ2013307);南京航空航天大学青年科技创新基金(理工类)项目(NS2015039)
探究Si C BJT基极驱动电路拓扑,对Si C BJT基极驱动电路损耗的构成进行了分析和对比,提出单基极电阻和阻容网络两种单电源基极驱动方案,对开关速度进行了对比。针对单电源阻容网络驱动方案,对其关键电路参数进行了分析,并针对一款Si C ...
关键词：电力电子技术 碳化硅双极型晶体管 定量实验 单电源驱动 阻容网络 低损耗 
一种新型的耐高温碳化硅超结晶体管
《电子器件》2015年第5期976-979,共4页袁源 王耀洲 谢畅 秦海鸿 
国家级创新训练项目(20141028701703);中央高校基本科研业务费专项资金项目(NO.NZ2013307);教育部博士点基金项目(20123218120017)
对Si C BJT的特性和参数进行了分析研究。以Gene Si C公司的1 200 V/7 A Si C超结晶体管为例,详细阐述了其静态特性、栅极控制特性、动态特性及安全工作区。并与目前商用最好水平的Si-IGBT进行了对比研究。Si C SJT在250℃时开关时间小...
关键词：半导体元件 碳化硅超结晶体管 耐高温 低损耗 
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