云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 谢畅

谢畅: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：南京航空航天大学自动化学院更多>>; 发文主题：半导体元件耐高温碳化硅低损耗更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《电子器件》更多>>; 所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>

检索结果分析

共条记录，以下是1-1

全选清除导出

视图：

排序：

一种新型的耐高温碳化硅超结晶体管: 《电子器件》2015年第5期976-979,共4页袁源王耀洲谢畅秦海鸿; 国家级创新训练项目(20141028701703);中央高校基本科研业务费专项资金项目(NO.NZ2013307);教育部博士点基金项目(20123218120017); 对Si C BJT的特性和参数进行了分析研究。以Gene Si C公司的1 200 V/7 A Si C超结晶体管为例,详细阐述了其静态特性、栅极控制特性、动态特性及安全工作区。并与目前商用最好水平的Si-IGBT进行了对比研究。Si C SJT在250℃时开关时间小...; 关键词：半导体元件碳化硅超结晶体管耐高温低损耗