N漂移区减薄的BPL SOI LDMOS器件的耐压特性  

作　　者：李阜骄 张海鹏[1] 郝希亮[1] 何健[1] 张强[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学电子信息学院

出　　处：《电子世界》2016年第22期59-61,共3页Electronics World

摘　　要：为了提高横向小尺寸薄埋氧层BPL SOI LDMOS器件的横向耐压,提出一种N漂移区减薄的BPL SOI LDMOS结构。该结构在BPL SOI LDMOS N漂移区的上表面引入一个沟槽。当器件正向截止时,与原结构相比,新结构具有更高的横向耐压值和漂移区最优掺杂浓度。采用2维数值仿真工具TCAD对该器件结构仿真测试,结果表明与原结构相比,该结构横向耐压得到显著提高。

关 键 词：沟槽 N漂移区 BPL SOI LDMOS 横向耐压 

分 类 号：TN929.533[电子电信—通信与信息系统]