检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]兰州交通大学甘肃省轨道交通装备系统动力学与可靠性重点实验室,甘肃兰州730070
出 处:《咸阳师范学院学报》2016年第6期50-53,共4页Journal of Xianyang Normal University
摘 要:采用了变步长四阶龙格库塔方法对sherman神经元系统在有时滞因素下进行了数值模拟,选择了一些重要的参数得到了一些分岔图,并用膜表面的电位时间历程图进行辅助说明,分析在时滞因素下这些参数不同取值sherman神经元的放电编码方式和时滞因素的对放电分岔的影响。Numerical simulation is carried out on delayed discharge mode sherman neuron system by using the variable step four order Runge-Kutta method on delayed discharge mode sherman neuron system. Some important parameters are selected and some bifurcation diagrams are obtained, and the potential time history of the film surface was used to carry out the auxiliary instructions. The effects of these parameters on the discharge coding mode and delay factors of the Sherman neurons with different values of time delay are analyzed.
关 键 词:sherman神经元 时滞 混沌 分岔
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