AZO透明导电薄膜光电性能的研究进展  被引量:1

Research Development of Optical and Electrical Properties of AZO Transparent Conducting Thin Films

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作  者:张程[1,2,3,4] 代明江[2,3,4] 石倩[2,3,4] 代建清[1] 

机构地区:[1]昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650000 [2]广州有色金属研究院新材料研究所,广州510651 [3]广东省现代表面工程技术重点实验室,广州510651 [4]现代材料表面工程技术国家工程实验室,广州510651

出  处:《材料导报(纳米与新材料专辑)》2016年第1期228-234,共7页

基  金:国家自然科学基金(51302044);广东省金属平台创新建设(2013B091602002)

摘  要:掺铝氧化锌(AZO)薄膜其原料来源广、经济无毒,且具有优越的光电性能,可以与传统铟锡氧化物(ITO)薄膜相媲美,是优良的透明导电材料。目前,关于各制备工艺参数对AZO薄膜的影响规律及其影响机理仍是研究热点。综述了透明导电AZO薄膜光学与电学性能的研究进展,讨论了各制备工艺条件对薄膜性能的影响,分析了AZO/metal/AZO多层膜的研究现状,并对AZO薄膜的研究方向给予了展望。Al-doped ZnO(AZO)thin film is an excellent transparent conductive material due to its wide source of raw materials,economy,non-toxicity and superior photoelectric performance which can be compared with traditional ITO film.At present,the influence rule and their mechanism of technical parameters on AZO films are still research hotspot.In this paper,we reviewed the research development of optical and electrical properties of AZO films,discussed the influence of the preparation parameters on films′properties,analyzed the research status of AZO/metal/AZO multilayer films,and forecast the research direction of AZO films.

关 键 词:AZO薄膜 磁控溅射 光电性能 AZO/metal/AZO多层膜 

分 类 号:TN304[电子电信—物理电子学]

 

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