功率器件用150mm高性能硅外延材料的工艺研究  

作　　者：翟玥[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《科技创新与应用》2017年第1期37-38,共2页Technology Innovation and Application

摘　　要：相比硅单晶衬底,硅外延材料电参数均匀性更好,结晶质量更理想,现已成为制备功率器件的关键基础材料。当前半导体行业的迅猛发展,研发工作频率更高的功率器件的迫切性愈加突出,其关键点是进一步提升器件耐压的基础上,能够减小正向导通电压和发热功耗。文章以150mm的大尺寸硅抛光片为衬底,生长高均匀性外延层,结合傅里叶变换红外线光谱分析(FT-IR)、电容-电压测试(C-V)等测试设备对外延电学参数进行了分析。通过对外延炉的流场、热场与厚度、电阻率均匀性相互作用规律进行了研究,制备出高均匀性的外延层。研究表明外延层厚度不均匀性随着两侧通入气流量的增加呈现先减小后增大的趋势,最佳状态下厚度不均匀性可以小于1%,外延层电阻率不均匀性随着基座径向温度梯度的减少而降低,最佳状态下可以获得小于1%的不均匀性。

关 键 词：外延层 功率器件 厚度 电阻率 均匀性 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]