一种成本更低的全新静态DRAM存储单元  

作　　者：Harry Luan 

机构地区：[1]Kilopass科技有限公司

出　　处：《单片机与嵌入式系统应用》2017年第1期80-81,共2页Microcontrollers & Embedded Systems

摘　　要：Kilopass研发出了一种全新的静态随机存取存储器（static RAM）存储单元，可被用作DRAM存储单元。它被称为垂直分层晶闸管（Vertical Layered Thyristor）存储单元，或简称VLT存储单元。这种单元存储的内容是静态的，因此不需要刷新。它可以使用现有晶圆工厂中的设备来制造，无须使用新的材料或工艺。VLT器件不仅性能良好，且比传统DRAM更加经济。在接下来的讨论中，我们会先简单介绍VLT存储单元，然后在成本构成的各个方面与传统DRAM进行比较。

关 键 词：静态随机存取存储器 存储单元 DRAM 成本构成 VLT 垂直分层 晶闸管 传统 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]