半导体所研制出GaN基紫外激光器  

出　　处：《新材料产业》2017年第1期80-81,共2页Advanced Materials Industry

摘　　要：12月14日，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出氮化镓（GaN）基紫外激光器。紫外激光器的研制成功也是我国在GaN基蓝光和绿光激光器突破之后取得的又一重要进展。

关 键 词：中国科学院半导体研究所 紫外激光器 GAN 国家重点实验室 集成光电子学 绿光激光器 氮化镓 研究员 

分 类 号：TN3-24[电子电信—物理电子学]