检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:丁泰勇
出 处:《微型计算机》2017年第12期99-104,共6页MicroComputer
摘 要:在本刊今年2月上的《3D XPoint的强劲对手——超级NRAM存储器技术全解析》—文中,详细解读了存储器的原理和NRAM的特性,并简单介绍了几种正在研发的新一代非易失性存储器。当时提到了NRAM和MRAM的对比,但并未详细介绍MRAM。现在,初代MRAMB的产品已经出现,一家名为Everspin的公司发布了一款实用DDR3接口规范的MRAM存储芯片,其容量虽然只有256Mb,但是MRAM的奇性能、低功耗、长寿命和非易失性特性在这款产品上展露无遗。那么,Everspin的MRAM在结构、原理和性能上有什么值得关注的地方呢?今天本文就来和大家一起了解二下。
关 键 词:非易失性存储器 MRAM 3D 解析 技术 256Mb 存储芯片 接口规范
分 类 号:TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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