东芝推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET  

出　　处：《半导体信息》2017年第2期13-14,共2页Semiconductor Information

摘　　要：东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司近日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET。“DTMOSIV系列”的八款新MOSFE丁利用超结结构，与东芝之前的“π—MOS—VIII系列”相比，其可将其单位面积导通电阻（RONXA）降低近79％。

关 键 词：功率MOSFET 低导通电阻 东芝公司 高速开关 N沟道 电子元器件 单位面积 电源 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]