7～13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器  

7～13 GHz GaAs 40 W Power Limiter Low Noise Amplifier MMIC

作　　者：彭龙新 王溯源[2] 凌志健 章军云 徐波[2] 

机构地区：[1]单片集成电路与模块国家重点实验室,南京210016 [2]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2017年第5期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所首次研制出7～13GHz连续波40W大功率限幅器＋低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求，将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同～GaAs衬底上，

关 键 词：低噪声放大器 GAAS衬底 限幅器 单片 南京电子器件研究所 PIN二极管 PHEMT 大功率 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]