氮化镓衬底晶片实现“中国造”  

出　　处：《半导体信息》2018年第1期7-8,共2页Semiconductor Information

摘　　要：苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商，团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6英寸氮化镓单晶材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。

关 键 词：氮化镓 中国 晶片 衬底 单晶材料 N型掺杂 气相生长 材料生长 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]