基于气敏元件的ZnO薄膜的RF制备及表征  

作　　者：李超 

机构地区：[1]遵义医学院医学信息工程学院,贵州遵义563000

出　　处：《山东工业技术》2018年第18期47-48,共2页Journal of Shandong Industrial Technology

摘　　要：本文用RF磁控溅射的方法在Si片上沉积ZnO薄膜,探讨了衬底温度、氧氩比和退火处理和薄膜的结晶速率、结晶质量和电阻率的关系,为沉积符合气敏元件的ZnO敏感薄膜提供研究参考。

关 键 词：ZNO薄膜 磁控溅射 气敏元件 电阻率 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程] TQ132.41[化学工程—无机化工]