我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破  

出　　处：《山东陶瓷》2018年第3期36-36,共1页Shandong Ceramics

摘　　要：近日,在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）,100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性。

关 键 词：第三代半导体材料 SIC单晶 设备生产 中国电子科技集团公司 粉料 高电子迁移率 生长设备 高速运行 

分 类 号：O613.72[理学—无机化学] O78[理学—化学]