基底温度对磁控溅射法制备TiN薄膜性能的影响  

作　　者：宋文斌[1] 刘盛意 王志鹏[1] 张颖 

机构地区：[1]大连东软信息学院,辽宁大连116023

出　　处：《信息记录材料》2018年第10期26-27,共2页Information Recording Materials

摘　　要：应用磁控溅射中的直流溅射于25℃、150℃、250℃、350℃、450℃下在P型硅(100)基底上生长Ti N薄膜,利用使用台阶仪、X射线衍射仪、原子力显微镜,分别测试不同基底温度下薄膜的电阻率、厚度、晶体结构、表面特征,结果表明随着温度的上升,表面均方粗糙度逐渐减小。且在350℃条件下,薄膜表面最光滑。从而证实了温度越高,薄膜的表面越优良。

关 键 词：TIN薄膜 磁控溅射 表征分析 工艺参数 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]