硅集成压力传感器设计  

Design of silicon integrate pressure sensor

作　　者：贺水燕[1] 彭万里[2] 

机构地区：[1]湘潭师范学院物理系,湖南湘潭411201 [2]湘潭大学物理系,湖南湘潭411105

出　　处：《湘潭师范学院学报（自然科学版）》2002年第3期64-66,共3页Journal of Xiangtan Normal University (Natural Science Edition)

摘　　要：主要对硅集成传感器的理论设计进行了分析和探讨。This paper mainly discusses the theoretical design of silicon integrate sensor.

关 键 词：硅集成压力传感器 设计 硅膜片 挠度 灵敏度 微加工 电容传感元件 硅压阻式模型 

分 类 号：TP212.12[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]