Morse势阱中的光检波效应(英文)  

Optical Rectification in Morse Quantum Well

作　　者：于凤梅[1] 郭康贤[1] 王光辉[2] 张立 俞友宾[1] 

机构地区：[1]广州大学桂花岗校区物理系,广州510405 [2]华南师范大学量子电子学研究所,广州510631 [3]番禺职业技术学校机电系,广州511483

出　　处：《量子光学学报》2002年第3期113-117,共5页Journal of Quantum Optics

基　　金：广东省自然科学基金 (0 11835 )~~

摘　　要：利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法 ,得到Morse势阱中的光检波系数的解析表达式。并以典型的GaAs/AlGaAs莫尔斯量子阱为例进行数值计算。研究结果表明 ,较大的光检波系数与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大 ,光检波系数越大。Analytical expressions of optical rectification in Morse quantum well are obtained by density approach and iterative method. Numerical results are illustrated for a typical GaAs/AlGaAs Morse quantum well. It is found that the optical rectification coefficient increases with the enhancement of the asymmetry of Morse quantum well.

关 键 词：MORSE势阱 光检波效应 密度矩阵方法 半导体 莫尔斯量子阱 GAAS/ALGAAS 砷化镓 砷镓铝化合物 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理] O471.1[理学—物理]