基于“半导体制造技术”探讨氮化镓发光二极管倒装芯片结构及制造工艺  

作　　者：郝惠莲[1] 刘宏波[1] 

机构地区：[1]上海工程技术大学材料工程学院,上海 201600

出　　处：《求知导刊》2016年第20期42-42,共1页

基　　金：“半导体制造技术”课程建设项目(k201605006);“光电材料与器件”课程建设项目(k201605006).

摘　　要：基于传统的氮化镓二极管倒装芯片技术，针对导电层吸收光和电极垫遮光而导致的发光亮度低的问题，本文主要介绍了氮化镓发光二极管中一种新型倒装芯片结构及其制造工艺。该倒装芯片结构及新工艺的引入，可以有效增强光子的吸收，从而提高倒装芯片的发光亮度。

关 键 词：氮化镓 发光二极管 倒装芯片 

分 类 号：TN312[电子电信—物理电子学]