基于漏-源电平转换的MOS电容放大器  

作　　者：易华祥 王德志[1,2,3] 王一文 

机构地区：[1]湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉430062 [2]湖北大学湖北凯乐科技股份有限公司研究生工作站,湖北武汉430062 [3]铁电压电材料与器件湖北重点实验室,湖北武汉430062

出　　处：《物联网技术》2017年第12期34-37,共4页Internet of things technologies

基　　金：湖北省教育厅人才项目(Q2016002)

摘　　要：文中提出了一种基于漏-源电平转换的MOS电容放大器作为采样保持电容的方法,以提高电荷域采样的线性度。放大器巧妙地利用采样和保持为两个独立过程的特性:当处在采样阶段时,MOS电容放大器工作在反型区,此时有较大的电容值,等效为电荷域采样的输出电压较小,提高了线性度;当处在保持阶段时,MOS电容放大器在漏-源电平转换作用下从反型区变换到耗尽区,此时有较小的电容值,等效为电荷域采样的输出电压被放大,使下一级电路能较好地工作。利用一种55 nm CMOS工艺设计了基于漏-源电平转换的MOS电容放大器,并利用Spectre分析了该MOS电容放大器的功能。仿真结果论证了文中工作对提高电荷域采样线性度的可行性。

关 键 词：高灵敏度接收器 电荷域采样 非线性 MOS电容放大器 漏-源电平转换 

分 类 号：TP39[自动化与计算机技术—计算机应用技术] TN432[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]