低触发电压的可控硅ESD保护结构的设计  

The Design of LVTSCR for ESD Protection Circuits

作　　者：梁莎 Liang Sha(Shanghai Belling Co.,Ltd.Shanghai 200233,China)

机构地区：[1]上海贝岭股份有限公司,上海200233

出　　处：《集成电路应用》2018年第3期23-25,共3页Application of IC

基　　金：上海市科学技术委员会集成电路研发基金(15511107100)

摘　　要：当前的集成电路设计中大量采用了可控硅的设计结构来进行ESD的保护,但是一般的SCR保护结构很难满足现在低电压,以及一些特殊要求的集成电路ESD保护的要求。研究一种低触发电压的可控硅结构保护电路,通过和工艺寄生参数的结合,满足了低触发电压的设计要求。IC design have many SCR structure for ESD protection,but routine SCR circuit don’t adapt of low power and some special application.The paper research a LVTSCR ESD protection circuit.The LVTSCR accommodate low trigger power by process parasitic parameter.

关 键 词：集成电路设计 静电保护 可控硅结构 触发电流 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]