无界区域上高维半导体流体动力学等熵模型的渐近性  

The Asymptotic Behavior of the High Dimensional Semiconductor Fluid Dynamics and Isentropic Models

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作  者:张丽丽 白玉娟 赵花妮 杨明霞 Zhang Lili;Bai Yujuan;Zhao Huani;Yang Mingxia(School of Mathematics and Statistics,Longdong University,Qingyang745000,China)

机构地区:[1]陇东学院数学与统计学院,甘肃庆阳745000

出  处:《宁夏大学学报(自然科学版)》2018年第4期309-314,共6页Journal of Ningxia University(Natural Science Edition)

基  金:陇东学院青年科技创新项目(XYZK1812);甘肃省高等学校科研基金资助项目(2016B-103)

摘  要:主要研究无界区域中可压Navier-Stokes-Poisson方程的Cauchy问题.证明当给定初值是稳态解的小扰动时方程的整体光滑解的存在性和唯一性,进一步运用经典能量估计方法证明当时间t→+∞时整体光滑解以指数速率趋于稳态解.In this paper,the compressible Navier-Stokes-Poisson equations of Cauchy problem are studied.It is proved that there exists a unique global and smooth solution when the initial data is near its equilibrium.Further,By using the classical energy methods,it is showed that the density of the Navier-Stokes-Poisson equations converges to its equilibrium state exponentially fast as t→+∞.

关 键 词:可压Navier-Stokes-Poisson方程 渐近行为 整体光滑解 

分 类 号:O175.2[理学—数学]

 

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