基于Sentaurus的SiC肖特基二极管模拟研究  

作　　者：刘乃生[1] 苑龙军 

机构地区：[1]潍坊学院,山东潍坊261061 [2]山东工业技师学院,山东潍坊261053

出　　处：《潍坊学院学报》2018年第6期18-20,31,共4页Journal of Weifang University

摘　　要：基于宽禁带半导体碳化硅材料,设计了一款4H-SiC基肖特基二极管,并利用Sentaurus模拟器对器件的正向特性和反向击穿特性进行了模拟研究。一方面介绍了Sentaurus模拟器在本文模拟中应着重解决的器件结构设计及网格优化问题,另一方面,模拟结果表明设计的4H-SiC肖特基二极管正向开启电压达到2.24V,反向击穿电压达到1278V,反向击穿电流达到12A。因此,碳化硅材料在肖特基二极管制造领域将具有极大的应用潜力及优势。

关 键 词：宽禁带半导体 碳化硅 肖特基 

分 类 号：TN311[电子电信—物理电子学]