高速InP基电光调制器和光电探测器  

High-speed InP-based Electro-optic Modulator and Photodetector

作　　者：钱广 李冠宇 牛斌[1] 周奉杰 顾晓文 孔月婵[1] 陈堂胜[1] QIAN Guang;LI Guanyu;NIU Bin;ZHOU Fengjie;GU Xiaowen;KONG Yuechan;CHEN Tangsheng(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

出　　处：《固体电子学研究与进展》2019年第4期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所开发了76.2mm(3英寸)InP基电光调制器和光电探测器圆片工艺,所研制器件工作于1550nm波段。电光调制器如图1(a)所示,带宽达40GHz[如图1(b)所示],半波电压1.8V,消光比大于20dB。光电探测器如图2(a)所示,带宽达40GHz以上[如图2(b)所示],响应度为0.3A/W,暗电流为45nA。

关 键 词：光电探测器 电光调制器 INP基 南京电子器件研究所 半波电压 消光比 响应度 暗电流 

分 类 号：TN761[电子电信—电路与系统] TN15