降低Fe-N软磁薄膜矫顽力的途径  

作　　者：李丹[1] 周剑平[1] 顾有松[1] 常香荣[1] 李福燊[1] 乔利杰[1] 田中卓[1] 方光旦[2] 宋庆山[2] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系,北京100083 [2]中国科学院计算技术研究所,北京100080

出　　处：《自然科学进展》2002年第11期1177-1181,共5页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:19392300;19890310)

摘　　要：用RF磁控溅射沉积的Fe-N磁性薄膜,饱和磁化强度比较高,但矫顽力太高,因而降低H_c成为Fe-N是否可以用于高密度磁记录的关键,在低功率200W下溅射沉积200um的薄膜,在250℃,12000 A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f_A为5％～7％范围内,形成a′+a″时,μ_oMs可达2.4T,H_c<80A/m,但Fe-N磁性薄膜厚度需要达到2μm,而H_c往往因厚度增加而增加,提高溅射功率到1000W,使晶粒进一步细化,2μm厚的Fe-N磁性薄膜经250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f_A为5.9％～8.5％范围内,形成a′+a″时,μ_oMs=2.2T,H_c仍可低于80A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要。

关 键 词：Fe-N软磁薄膜 矫顽力 RF磁控溅射 饱和磁化强度 磁记录材料 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理]