多晶硅发射极晶体管电流增益的计算机分析  

作　　者：高勇[1] 赵旭东[1] 余宁梅 刘先锋 

机构地区：[1]陕西机械学院半导体器件教研室,西安710048

出　　处：《半导体技术》1992年第5期49-52,48,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：本文采用较精确的模型,对多晶硅发射极晶体管特有的发射区结构:SiO_2层厚度与位置、准中性发射区厚度、发射极表面浓度等参数对电流增益的影响进行了计算机分析,为这种器件的优化设计提供了有益的数值分析结果。

关 键 词：晶体管 发射机 多晶硅 电流增益 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]