Mev ^(28)Si^+注入GaAs的退火行为  

THE ANNEALING BEHAVIOUR OF MeV Si IMPLANTS IN GaAs

作　　者：姬成周[1] 李国辉[1] 成步文[1] 王琦[1] 王文勋[2] 

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所 [2]北京师范大学分析测试中心,北京新外大街100875

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》1992年第2期167-172,共6页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.The activation of MeV Si implants in SI-GaAs is energy and dose dependent.The nonuniformity of the activation and the unique feature of the carrier profiles are attributed mainly to the dopant-point defects inter- actions.To optimize implantation and annealing parameters,the quality of the implanted wafers should be evaluated comprehensively in terms of carrier concentration,mobility,sheet resistance and surface breakdown etc.

关 键 词：MEV 离子注入 退火 砷化镓 

分 类 号：TG156.2[金属学及工艺—热处理]